近日，中科院上海微系統(tǒng)所太赫茲固態(tài)技術(shù)院重點實驗室在太赫茲（THz）量子級聯(lián)激光器（QCL）研究方面取得進展。

THz QCL是太赫茲技術(shù)在通信和成像等應(yīng)用方面的關(guān)鍵器件。自2002年世界上第一個THz QCL誕生以來，不管是在激射功率、頻率，還是在工作溫度等方面，THz QCL都取得了很大的進步。但是由于THz輻射對應(yīng)的子帶間能級差很小，而且自由載流子吸收損失在THz波段十分嚴重，所以要實現(xiàn)室溫高功率的THz QCL器件是十分困難的。器件參數(shù)優(yōu)化在提高THz QCL器件性能方面發(fā)揮著巨大的作用。近日，曹俊誠課題組采用蒙特卡洛方法研究了注入耦合強度對THz QCL器件性能的影響。研究發(fā)現(xiàn)，對于3.7-THz QCL來說，可以找到一個優(yōu)化的注入耦合強度參數(shù)，即7.5 meV。在該優(yōu)化參數(shù)條件下，模擬得到的動態(tài)激射范圍以及峰值增益都取得了最大值。將該優(yōu)化參數(shù)應(yīng)用到有源區(qū)設(shè)計上將有望實現(xiàn)更高性能的THz QCL器件。該研究結(jié)果作為亮點文章在Semiconductor Science and Technology上發(fā)表。

論文鏈接：

http://iopscience.iop.org/0268-1242/26/9/095029/pdf/0268-1242_26_9_095029.pdf

亮點描述文章鏈接：http://iopscience.iop.org/0268-1242/labtalk-article/46931