半導體激光器又稱激光二極管，是用半導體材料作為工作物質的激光器，它具有體積小、壽命長的特點。半導體激光器工作原理是激勵方式，利用半導體物質（即利用電子）在能帶間躍遷發(fā)光，用半導體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡，組成諧振腔，使光振蕩、反饋，產生光的輻射放大，輸出激光。

基本結構及光束特性如下圖所示：

半導體激光器結構原理圖

半導體激光光束出射特性

半導體激光器是依靠注入載流子工作的，發(fā)射激光必須具備三個基本條件：

（1）要產生足夠的 粒子數反轉分布，即高能態(tài)粒子數足夠的大于處于低能態(tài)的粒子數;

（2）有一個合適的諧振腔能夠起到反饋作用，使受激輻射光子增生，從而產生激光震蕩;

（3）要滿足一定的閥值條件，以使光子增益等于或大于光子的損耗。

半導激光器電光效率曲線示例

產品介紹

德國JENOPTIK Laser GmbH公司（簡稱JL）是世界上優(yōu)質的半導體激光器生產商。JL一直致力于高質量的半導體激光器生產，已經形成了一條從外延片生長、芯片處理、封裝到光纖耦合完整的半導體激光器產品線。

德國JL公司的半導體激光器包括高功率半導體激光器芯片（巴條和單管芯片）、開放式熱沉設計型、高功率堆疊半導體陣列型、光纖耦合半導體激光器等。此外JL還為客戶提供外延片生長服務�？蓮V泛用于各類激光器（如固體激、微片激、光纖）等的泵浦、激光對抗、測距、光瞄、直接材料加工、激光醫(yī)療、生物檢測、熒光激發(fā)和光譜測量等領域。

激光巴條

波長范圍: 760 – 1060nm 

輸出功率: 6 - 500W

工作模式: CW / QCW

填充系數: 10% ~ 75% 

諧振腔長度: 0.6 - 4.0mm

可選項：增透膜

封裝的二極管激光器

波長范圍: 808 – 1470nm

輸出功率: 23 - 300W

工作模式: CW / QCW

冷卻: 主動冷卻 / 被動冷卻

準直: 快軸 / 快軸和慢軸 / 無

散熱器: cn / cs / 主動冷卻

準連續(xù)堆棧

波長范圍: 808 – 940nm

輸出功率: 270 - 2400W

工作模式: QCW

冷卻: 主動冷卻 / 被動冷卻

準直: 快軸 / 無

連續(xù)堆棧

波長范圍: 808 – 980nm

輸出功率: 128 - 1440W

工作模式: CW

冷卻: 主動冷卻 / 被動冷卻

準直: 快軸 / 快軸和慢軸 / 無

二極管激光模塊

波長范圍: 808 – 1470nm

輸出功率: 20 - 400W

工作模式: CW / QCW

冷卻: 主動冷卻 / 被動冷卻 (風冷/TEC/水冷)

光纖芯徑: 0.2 - 0.6mm

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https://www.psci.cn/jenoptik/