3D封裝是在二維封裝基礎上向空間發(fā)展的高密度封裝技術，該技術通過芯片堆疊或封裝堆疊的方式實現(xiàn)器件功能的增加，不僅能顯著提高封裝密度，還能有效降低封裝成本。在3D封裝制程中，Hybrid bonding混合鍵合技術中D2W或D2D工藝是其核心制程之一，該制程對前道切割段的精度要求、質量要求以及particle管控更為嚴苛。相較于傳統(tǒng)封裝晶圓切割制程中Laser Grooving + Blade Saw方案，Laser Grooving + Plasma Dicing的組合切割方案憑借其優(yōu)異的切割質量及particle管控等獨特的優(yōu)勢，在3D封裝領域日益受到重視與青睞，展現(xiàn)出了非凡的潛力，為3D封裝技術的進一步發(fā)展奠定了堅實的基礎。

·  設備交付現(xiàn)場  ·

大族半導體憑借在激光微加工領域的深厚積淀與卓越洞見，自2018年起便在國內率先進行Low-K開槽關鍵技術的研發(fā)并取得突破性成果。近期，我司隆重推出全新一代全自動晶圓激光開槽設備—GV-N3242系列。該設備在開槽質量、開槽精度、潔凈度管控以及材料兼容性方面的大幅躍升，已圓滿通過客戶嚴苛的技術驗證，并完全具備量產(chǎn)能力，贏得了客戶的一致好評與廣泛認可。

全自動晶圓激光開槽設備

型號：GV-N3242

01 應用領域

用于先進封裝領域，在晶圓表層開槽，輔助Plasma etch切割制程。

02 設備優(yōu)勢

✦ 超快激光器(紫皮/紫飛)+新型光路整形方案，進一步提升開槽品質；超高精度機械/氣浮平臺，進一步提升開槽精度;

✦ 升級視覺方案，配備超高倍鏡頭(>20x)以及紅外相機(選配)，提升視覺識別精度，實現(xiàn)晶圓背面開槽方案;

✦ 整機壓差、對流以及涂膠清洗腔體設計升級，可滿足百級潔凈度要求，可支持裸晶圓/Frame全自動天車上下料兼容模式。

03 主要參數(shù)

04 開槽效果

大族半導體全自動晶圓激光開槽設備GV-N3242的成功推出，以高精度、高效率的特點，為半導體制造業(yè)提供了更為先進、可靠的解決方案，標志著我司在激光切割應用領域的深度探索與創(chuàng)新又前進了堅實的一步。展望未來，大族半導體將持續(xù)在激光切割應用領域深耕細作，為半導體制造業(yè)注入強勁動力，推動整個行業(yè)不斷向前邁進。

來源：大族半導體

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