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英研制出世界上功率最大的太赫茲激光器芯片
材料來源:lfwc          

英國利茲大學(xué)的研究人員開發(fā)出了世界上功率最大的太赫茲激光器芯片。據(jù)報(bào)道,該研究團(tuán)隊(duì)研制的量子級(jí)聯(lián)太赫茲激光器的輸出功率超過1W。新記錄比去年維也納團(tuán)隊(duì)的記錄高出一倍以上。

太赫茲波具有廣泛的潛在應(yīng)用,包括檢測(cè)藥品、化學(xué)特征及爆炸物的遙感,以及人體內(nèi)非侵入性癌癥檢測(cè)。然而,對(duì)科學(xué)家和工程師們的主要挑戰(zhàn)之一是使激光器功率和緊湊結(jié)構(gòu)能夠滿足之用要求。

電子與電氣工程學(xué)院太赫茲電子專家埃德蒙林菲爾德教授指出,即使可以構(gòu)建一個(gè)能夠產(chǎn)生大功率太赫茲輻射的大型儀器,但其應(yīng)用是非常有限的,我們需要的太赫茲激光器不僅能夠提供高功率光源,而且還要實(shí)現(xiàn)便攜式和低成本。利茲團(tuán)隊(duì)研制的太赫茲量子級(jí)聯(lián)激光器的尺寸只有幾個(gè)平方毫米。

林菲爾德教授說,這些激光器的工作過程非常微妙,不同的半導(dǎo)體材料,如砷化鎵層建立了一個(gè)原子單層。精確地控制每一獨(dú)立層的厚度和組成,構(gòu)建半導(dǎo)體材料層數(shù)在1000到2000之間。他們突破新型激光器功率記錄要?dú)w功于具有的利茲專業(yè)知識(shí)制造這些層狀半導(dǎo)體材料,以及合理設(shè)計(jì)這些材料開發(fā)出高功率激光器件的能力。這項(xiàng)工作由工程和物理科學(xué)研究委員會(huì)(EPSRC)資助。


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