近日，北京理工大學材料學院鄒炳鎖教授領導的納米光子學團隊在一維半導體超晶格微米線的制備與光學性質的研究方面取得突破。

半導體的微納結構的性質和應用研究正在從電子學轉向光電子學乃至光子學轉化，性質在向信息、能源、傳感和生物等領域滲透交叉。其中電子和光子復合超晶格備受關注。因為其可以通過周期的界面來調控光子、電子和激子的輸運與發(fā)射，在微/納光電子器件領域有著非常重要的應用前景。國際上只有通過分子束外延生長這種結構，成功的實例甚少，原因是折射率和電子遷移率同時有差異的相關材料難以形成超晶格。

在這個工作中，該團隊的代國章博士后采用一種簡單可控的微區(qū)CVD方法實現(xiàn)了一維的光子超晶格結構，主要是II-VI族CdS/CdS:SnS2微米線的生長。這種微米線受光激發(fā)后能夠產生非常完美的周期性發(fā)光，且發(fā)光的周期可以通過改變超晶格分段的長度實現(xiàn)調控，光子限域的特征十分完美。其簡單的合成方法與材料在光（子）學響應的的結果在國際上首次報道。該成果對降低微型固態(tài)激光器的激發(fā)閾值、實現(xiàn)新型光波導、光開關，研究激子與光的相互作用具有重要的意義。

該工作是與美國佐治亞理工大學王中林教授合作完成，得到了國家自然科學基金項目、博士后科學基金和北京理工大學“985工程”項目的支持。研究結果發(fā)表在8月出版的《美國化學會雜志》（Journal of the American Chemical Society）上。