3月25日，由瑞波光電牽頭承擔(dān)的國家重點研發(fā)計劃“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項“高功率密度905nm多結(jié)半導(dǎo)體激光芯片”項目啟動暨實施方案論證會在華南理工大學(xué)順利召開。

會議邀請到廣東省科技廳產(chǎn)學(xué)研結(jié)合處劉志輝副處長、廣州市科技局孟徽副局長，項目專家組華南師范大學(xué)/華南理工大學(xué)楊中民教授、中國科學(xué)院大學(xué)樊仲維教授、清華大學(xué)柳強(qiáng)教授、西南技術(shù)物理研究所余麗波研究員、杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所張晶研究員、中國科學(xué)院物理研究所魏志義研究員、 華東師范大學(xué)曾和平教授、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)姜海峰研究員、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所林學(xué)春研究員、東北師范大學(xué)王鵬飛教授、山西大學(xué)鄭耀輝教授、華南師范大學(xué)周桂耀教授，以及項目骨干約30人參加了本次會議。

項目負(fù)責(zé)人胡海博士從項目背景、研究內(nèi)容、實施方案、預(yù)期目標(biāo)等方面進(jìn)行了全面匯報，詳細(xì)闡述通過“外延設(shè)計-芯片-器件-驗證”全鏈條協(xié)同創(chuàng)新，突破波長穩(wěn)定量產(chǎn)工藝難點，雜散光難題等技術(shù)瓶頸，研制功率大于120W、高功率密度、波長穩(wěn)定、高光束質(zhì)量的905nm 半導(dǎo)體激光芯片, 為新型激光雷達(dá)和測距傳感應(yīng)用提供核心器件。

專家組認(rèn)真聽取項目負(fù)責(zé)人匯報、審閱實施方案，并進(jìn)行質(zhì)詢討論后，一致認(rèn)為項目以創(chuàng)新的多隧道結(jié)技術(shù)實現(xiàn)器件性能的優(yōu)化、新穎的光束限制結(jié)構(gòu)的技術(shù)路線具有顯著前瞻性、波長穩(wěn)定技術(shù)提升了測距能力降低了功耗，并建議項目組在實施過程中建立技術(shù)指標(biāo)動態(tài)優(yōu)化機(jī)制與協(xié)同創(chuàng)新機(jī)制，強(qiáng)化多個應(yīng)用場景落地，助力項目高效完成。胡海代表項目組表示將全面落實專家組建議，建立完善的項目管理與協(xié)調(diào)機(jī)制，把控細(xì)節(jié)，確保階段與總體目標(biāo)的如期完成。

“高功率密度905nm多結(jié)半導(dǎo)體激光芯片” 項目于2024年12月立項，由深圳瑞波光電子有限公司承擔(dān)。“新型顯示與戰(zhàn)略性電子材料”重點專項重點支持相關(guān)重要科學(xué)前沿或我國科學(xué)家取得原創(chuàng)突破，應(yīng)用前景明確，有望產(chǎn)出具有變革性影響技術(shù)原型，對經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展產(chǎn)生重大影響的前瞻性、原創(chuàng)性的基礎(chǔ)研究和前沿交叉研究。

來源：瑞波光電

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