隨著激光在工業(yè)、通信等領(lǐng)域的持續(xù)滲透，對(duì)上游核心芯片提出更高要求，長(zhǎng)光華芯順應(yīng)市場(chǎng)需求，持續(xù)優(yōu)化工藝、創(chuàng)新技術(shù)，有效提升半導(dǎo)體激光芯片的功率、效率、速率等關(guān)鍵指標(biāo)，分別在EEL和VCSEL芯片上取得顯著成效，相關(guān)成果均在有影響力的國(guó)際期刊發(fā)表：

01 EEL

多結(jié)單管芯片功率超132W

在超高功率單管芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與研制技術(shù)上取得突破性進(jìn)展，研制出的雙結(jié)單管芯片室溫連續(xù)功率超過(guò)132W（芯片條寬 500μm），工作效率 62%，是迄今為止已知報(bào)道的單管芯片功率最高水平記錄，開(kāi)啟了百瓦級(jí)單管芯片新紀(jì)元！

該研究成果在國(guó)際SCI知名期刊《photonics》上發(fā)表。

02 EEL

780nm寬條DFB激光器功率突破10W

在高功率和窄譜寬激光器方面攻克了如光柵設(shè)計(jì)和材料生長(zhǎng)等多個(gè)難點(diǎn)，取得突破性進(jìn)展，開(kāi)發(fā)的780nm寬條分布反饋（DFB）激光器室溫連續(xù)輸出功率超過(guò)10W。創(chuàng)下了780nm波段DFB激光器的最高紀(jì)錄，同時(shí)在寬電流與溫度范圍內(nèi)保持了良好的鎖波特性。

該研究成果在光子學(xué)領(lǐng)域權(quán)威期刊《IEEE Photonics Journal》上發(fā)表。

03 VCSEL

多結(jié)VCSEL電光效率達(dá)74%

攻克低損耗多結(jié)VCSEL結(jié)構(gòu)，將面發(fā)射芯片效率從20年前的61%一躍提高至74%，打破近20年來(lái)VCSEL效率發(fā)展停滯的局面，改變了VCSEL在效率上無(wú)法超過(guò)邊發(fā)射激光器的固有認(rèn)知！

該研究成果發(fā)表在國(guó)際光學(xué)前三的Light: Science & Applications上。

04 VCSEL

單模VCSEL功率效率刷新世界紀(jì)錄

構(gòu)建了多結(jié)VCSEL的模式分析模型，解決了單模功率難以突破10mW左右水平的難題，在直流驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)了20.2mW的單基橫模激光輸出，功率轉(zhuǎn)換效率達(dá)42%，發(fā)散角為9.8° (1/e2)和5.1° (FWHM)。這是迄今為止單顆VCSEL的最高單模功率，其功率值接近現(xiàn)有單模功率記錄的兩倍。

該研究成果發(fā)表在國(guó)際光學(xué)領(lǐng)域頭部期刊Photonics Research。

文章來(lái)源：長(zhǎng)光華芯

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